去膠工藝是微加工工藝過程中一個非常重要的工藝環節。在光刻工藝之后，我們往往需要面臨顯影后的底膠去除或者干法蝕刻工藝后變性的光刻膠的去除工作，這些環節中光刻膠去除的是否干凈*以及對樣片是否有損傷等將直接影響到后續工藝的進行以及器件的性能。

　　微波等離子去膠機是適用于硅基半導體及化合物半導體前后道的等離子體去膠設備，可用于光刻膠灰化/殘膠去除和表面處理，該系列有兩種配置分別兼容4“/6”/8“或8“/12“晶圓。Virgo系列設計緊湊占地面積小，設備穩定可靠、易于維護、產能高。利用氧氣在微波發生器的作用下產生氧等離子體，具有活性的氧等離子體與有機聚合物發生氧化反應，是的有機聚合物被氧化成水汽和二氧化碳等排除腔室，從而達到去除光刻膠的目的，這個過程我們有時候也稱之為灰化或者掃膠。氧等離子去膠相比于濕法去膠工藝更為簡單、適應性更好，去膠過程純干法工藝，無液體或者有機溶劑參與。

　　微波等離子去膠機遇到以下幾種情形我們需要注意：

　　① 部分穩定性高的光刻膠如SU-8、PI（聚酰亞胺），往往膠厚也比較大，純氧等離子體去膠速率也比較有限，為了保證快速去膠，往往還會在工藝氣體中增加氟基氣體增加去膠速率，因此不只是氧氣是反應氣體，有時候我們也需要其他氣體參與；

　　② 涂膠后形成類非晶態二氧化硅的HSQ光刻膠。由于其構成并不是單純的碳氫氧，所以是無法使用氧等離子去膠機來實現去膠；

　　③ 當我們的樣品中有其他需要保留的結構層本身就是有機聚合物構成的，在等離子去膠的過程中，這些需要保留的層也可能會在氧等離子下發生損傷；

　　④ 樣品是由容易氧化的材料或者有易氧化的結構層，氧等離子去膠過程，這些材料也會被氧化，如金屬AG、C、CR、Fe以及Al，非金屬的石墨烯等二維材料。